目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维ＮＡＮＤ闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

　　据介绍，国家存储器基地项目2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设，总投资240亿美元，项目一期总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。

　　紫光集团董事长赵伟国表示，今年10月设备将点亮投产，预计2019年底64层闪存产品将实现爬坡量产。未来十年，紫光集团计划至少还将投资1000亿美元，相当于平均每年投入100亿美元，进一步拉近我国在高端芯片领域与先进国家的距离。

　　据新华社